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热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
资料类型:
PDF文件
关键词:
a-Si:H薄膜
热丝
光敏性
沉积速率
资料大小:
315K
所属学科:
结构表征
来源:
来源网络
简介:
我们用热丝辅助MWECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律。结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6105。找到最佳辅助热丝温度为1450℃。通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比。
上传人:
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2007-07-06 16:09:19
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